第119章 提出新的单晶硅生长方案

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秦桂梅道：“如果咱们能通过在硅棒上创建一个局部熔化区域，使得硅从熔融区域向非熔融区域生长，不是能实现更高的生长速度和更低的能耗吗？”

“区域熔融法？”梁德仁一时没听懂秦桂梅的方法。

“通过在硅棒上创建一个局部熔化区域，只有该区域与石英坩埚接触，而非熔融区域则不与坩埚接触。这样可以减少杂质从石英坩埚中溶解并进入晶体的可能性，从而提高晶体的纯度和质量。”秦桂梅解释道。

“明白了。”梁德仁点点头，然后说道：“不需要晶体与石英坩埚接触，减少了杂质的引入，确实能提高晶体质量和纯度。”

“局部熔化的方式还可以减少了整个硅棒的熔化和冷却过程，从而降低了能耗。”秦桂梅接着说道。

“这样啊……”梁德仁已经惊得目瞪口呆了，这哪里还是一个不满18岁的小姑娘说出来的话，他们整个团队对这个问题的研究，似乎也不及秦桂梅更深入吧？他细细地想了一下，迅速地拿过笔记和笔，在笔记本上面画着什么。

书房里大家都默契地没有说话，时间好像过去了很久，终于梁德仁抬起头，无奈地承认秦桂梅是对的。

“小秦同学，你这个想法很好，但是这样单晶硅形状和尺寸要求也达到吗？”

岂止是很好，这完全就是付出了生命和后来多年的研究才得来的经验，或者说是教训。

既然命运使我来到在这个时代，无论如何，都应设法挽救师祖的性命，为国家节省下这笔实验经费，让R国的悉心谋划阴谋诡计化作泡影，秦桂梅在心里默默筹划着。